美光绕过EUV光刻技术，留给我们的时间不多了

　　近日，美国芯片巨头美光宣布，采用全球先进1（1beta）制造工艺的DRAM内存芯片准备量产，部分媒体误解其成功绕过了EUV光刻技术，引爆芯片圈，一时成为热门话题。反观我国在利用石墨烯等新技术绕过EUV光刻上进展缓慢，不少网友纷纷感慨，留给我们的时间不多了！
　　据了解，1工艺可将能效提高约15，存储密度提升35以上，单颗裸片（Die）容量高达16Gb（2GB）。美光已经在LPDDR5X移动内存上率先应用1工艺，还使用了第二代HKMG（高K金属栅极）工艺，最高速率8。5Gbps（等效于8500MHz）。美光称其芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证，随时可以量产。不过，1依然需要采用DUV（深紫外光刻），并非绕过了EUV（极紫外光刻）工具，而是暂时不需要，可能下代产品仍然需要采用EUV光刻技术。
　　关于这一点，美光技术和产品执行副总裁ScottDeBoer表示：我们的1betaDRAM的推出标志着内存创新的又一次飞跃，这得益于我们专有的多图案光刻技术与领先的工艺技术和先进材料能力相结合。而在外媒的报道里，也明确写着1（1beta）将是该公司最后一个依靠DUV而不是EUV光刻的DRAM生产工艺！很明显，美光并没有绕过EUV，而是仍然在新的一代制程里使用了DUV光刻的多重曝光技术。
　　有业内人士表示，DRAM的先进性很大程度上取决于每平方毫米晶圆面积上集成更多更快半导体的能力，各公司目前通过不断缩小电路面积来进行竞争。1betaDRAM，只是美光把DUV的能力发挥到DRAM工艺的极致，成本上或许也会更具比较优势，并不是绕过EUV光刻机。
　　近年来，美国对我国进行贸易战，并不断升级冲突。芯片制造更是美国打压中国科技发展的重点领域，荷兰阿斯麦ASML在芯片光刻技术上独领风骚，其最先进的EUV光刻机被禁止出口中国，影响国内最先进的芯片制造企业中芯国际拿不到相应设备，至今仍未突破5nm芯片的生产，导致华为海思高端芯片处于无处可造的地步，华为这些年在电子产品市场上的衰退显而易见。
　　此次在1工艺取得重大突破的美光，不是中国企业，而是美国芯片巨头。面对欧美企业在芯片领域取得不断进步，不少网友纷纷急了，留给我们的时间不多了！网友的担心并非不无道理，若是欧美国家在芯片领域拥有的专利越来越多，设置的专利门槛就越多，而我们想要突破研发的方向、路径就越相对越少越窄，更容易被人卡脖子。
　　针对美光公布的1工艺，有人则认为不要过度被其吸引，投入力量跟进，以免被美国带偏，毕竟这并不是最终的光刻技术，而应该集中精力突破EUV光刻机研发。虽然美光新的技术突破仍是基于DUV光刻工具，但是无疑给我国高新技术企业带来了曙光和希望，在EUV尚未取得突破的情况下，也是一个符合现实利益的可供选择方向。期待我国在不久的将来也能研发出新的技术工艺，打破美西方技术封锁，让中国芯真正崛起，不再被人掐脖子。