到目前为止,制造商不得不使用GDDR6内存的替代版本作为权宜之计,同时等待GDDR7的到来,在带宽上实现真正的世代飞跃。三星在其完成这一任务的计划中透露了一块重要的拼图。公司最近证实,GDDR7内存会使用PAM3信号(脉冲振幅调制3级),这将有助于它为未来的显卡提供两倍于GDDR6的数据速率。 典型的GDDR6RAM,我们在AMD新的RadeonRX7000系列中可以看到,使用NRZ(不归零)信令来实现14至24Gbps的数据速率,它可以携带编码为0或1值的信号,每周期1比特。 最近的GPU,如NVIDIA的RTX4000系列开始转移到GDDR6X,速度稍快,为1823Gbps。他们使用PAM4来实现这一点,其值为0、1、2或3时,每周期可达到2位。 三星在10月份的技术日会议上确认GDDR7的带宽将达到36Gbps,但最近透露它将通过PAM3达到这一目标,这实现了NRZ和PAM4之间的平衡。 PAM3使用1、0和1的值来实现每两个周期3个比特,或每周期1。5比特。它的能效比NRZ高25,带宽更高,但对设备的要求比PAM4低,使其更便宜。英特尔的Thunderbolt5电缆也使用PAM3信令,提供80Gbps的带宽是Thunderbolt4的两倍。 三星最近还宣布了另一种GDDR6替代品GDDR6W以对抗HBM2内存。该公司将HBM2作为可能的GDDR6继任者,拥有更大的带宽和更高的速度,但它在AMD的Vega系列显卡中的实施并不成功,促使AMD回归GDDR6。 GDDR6W的带宽远远优于GDDR6,与HBM2相似。此外,它可以支持与现有GDDR6产品相同的生产工艺。三星的公告没有回答任何关于GDDR7可能何时亮相的问题,但是AMD和NVIDIA可能在过渡到GDDR7之前为其下一个系列的显卡选择GDDR6W。 三星的演示幻灯片揭示了GDDR7的PAM3,还提到了其他新的DRAM技术,如TCoul和多路等级DIMM(MRDIMM),TCoil可以大幅提高IO速度,而MRDIMM可以使容量翻倍。